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Résistant RF
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| Plage de résistance nominale | 1 ~ 500Ω |
| Tolérance à la résistance | ± 5% |
| Plage de fréquences | 0 ~ 2 GHz |
| Ratio des ondes stationnaires | 1.2 ~ 1.3 |
| Résistance à l'isolation | ≥ 1GΩ |
| Résister à la tension | 500 V/1 mm (épaisseur du substrat) |
| Puissance nominale | 1 ~ 1200 W (70°C) |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C à +165°C |
| TCR (coefficient de résistance à la température) | ± 300 × 10−6/°C |
| Choc de température (-55°C/+125°C, 3 fois) | ΔR ≤ ± 5%R |
| L'épreuve de l'humidité (GJB306A-96-méthode 106) | ΔR ≤ ± 5%R |
| Vibration (10 à 500 Hz, 0,75 mm, 6 heures) | ΔR ≤ ± 3%R, pas de dommages mécaniques |
| Essai à basse température (-55°C, 24h) | ΔR ≤ ± 5%R |
| Durée de charge (96 heures) | ΔR ≤ ± 5% |
| Résistance à la collision | ΔR ≤ ± 3%R |
| Résistance terminale (10N, 5S) | Ne lâche pas et tombe pas |
| Soudurabilité (240°C, 3 secondes) | Surface de couche d'étain de 95% |
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