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Sichuan Qixing Electronics Co., Ltd.
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Résistant de flange RF haute puissance de 1200W avec composition céramique et large plage de température de fonctionnement de -55°C à +165°C
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Résistant de flange RF haute puissance de 1200W avec composition céramique et large plage de température de fonctionnement de -55°C à +165°C

Lieu d'origine Sichuan, Chine
Nom de marque BONENS
Numéro de modèle RIG
Détails de produit
Spécification:
800w~1200w
Type d'emballage:
En boîte
Package / étui:
Sac en plastique
Description:
Bornes résistance rf 10ohm 50ohm
Résistance:
1 ~ 500 Ω, 1 ~ 500 Ω
Tolérance à la résistance:
± 5%
Nom de l'article:
RIG Résistances haute puissance Résistance RF 1000 watts 50 ohm 100 ohm
Technologie:
Composition céramique
Type de package:
Type de package
Coefficient de température:
±300*10-6/°C
Température de fonctionnement:
-55°C à +165°C
Puissance (watts):
1W-1200W
Puissance nominale:
1~1200W
Mettre en évidence: 

Résistant à puce RF haute puissance

,

Résistant RF à bride 1000w

,

Résistant RF avec bornes de 50 ohms

Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min
100
Description de produit
Résistant de flange RF haute puissance de 1200W avec composition céramique et large plage de température de fonctionnement de -55°C à +165°C 0
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Description du produit
100W 150W 200W 250W 400W 800W 1000W 500W Résistants à haute puissance 10ohm 50ohm
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100W 150W 200W 250W 400W 800W 1000W 500W haute puissance Les bornes 10ohm 50ohm dessin de résistance RF

Toutes les résistances de flange RF peuvent faire avec un terminal ou deux terminaux

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Tracé d'une résistance à borne de 100 W
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150W deux bornes de résistance RF

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250W 10ohm 50ohm deux bornes résistance RF dessin

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400 W10 ohm 50 ohm deux bornes de résistance RF

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500W 10 ohm 50 ohm une borne de résistance RF

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600w 10ohm 50ohm une borne RF résistance dessin

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800W 10ohm 50ohm deux bornes résistance RF dessin

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1000W 10ohm 50ohm Une borne de résistance RF dessin

Spécification
100W 150W 200W 250W 400W 800W 1000W 500W Résistants à haute puissance 10ohm 50ohm Paramètres
Caractéristiques électriques
Plage de résistance nominale
1 ~ 500Ω
Plage de résistance nominale
± 5%
Plage de fréquences
0 à 2 GHz
Ratio des ondes stationnaires
1.2 à 1.3
Résistance à l'isolation
≥ 1GΩ
Résister à la tension
500 V/1 mm (épaisseur du substrat)
Caractéristiques de l'environnement
Puissance nominale
1 à 1200 W (70°C)
Plage de température
-55°C à +165°C
TCR
± 300 × 10-6/°C
Choc de température (-55°C/+125°C, 3 fois)
ΔR ≤ ± 5%R
L'épreuve de l'humidité (GJB306A-96-méthode 106)
ΔR ≤ ± 5%R
Vibration (10 à 500 Hz, 0,75 mm, 6 heures)
ΔR≤±3%R, Aucun dommage mécanique
Essai à basse température (-55°C, 24h)
ΔR ≤ ± 5%R
Durée de charge (96)
ΔR ≤ ± 5%
La collision
ΔR ≤ ± 3%R
Caractéristiques physiques
Résistance terminale ((10N,5S)
Ne lâche pas et tombe pas
Soudurabilité à 240°C,3s
Surface de couche d'étain de 95%
Emballage et livraison
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Profil de l'entreprise
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Questions fréquentes
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Contacts
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À l'attention: Gina

Quelle application: 86-18010662198

Je vous en prie.

Il a été tué par un policier.

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