Résistance de flange RF haute puissance 1200W Composition céramique Grande température de fonctionnement

Lieu d'origine	Sichuan, Chine
Nom de marque	BONENS
Numéro de modèle	RIG

Détails de produit

Spécification:

800w~1200w

Type d'emballage:

En boîte

Package / étui:

Sac en plastique

Description:

Bornes résistance rf 10ohm 50ohm

Résistance:

1 ~ 500 Ω, 1 ~ 500 Ω

Tolérance à la résistance:

± 5%

Nom de l'article:

RIG Résistances haute puissance Résistance RF 1000 watts 50 ohm 100 ohm

Technologie:

Composition céramique

Type de package:

Type de package

Coefficient de température:

±300*10-6/°C

Température de fonctionnement:

-55°C à +165°C

Puissance (watts):

1W-1200W

Puissance nominale:

1~1200W

Puissance nominale:

800W-1200W

Résistance:

10 ohms, 50 ohms

Matériel:

Composition céramique

Taper:

Résistance de bride RF

Mettre en évidence:

1 200 W haute puissance

Composition céramique

Température ambiante large

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min

100

Description de produit

Description du produit

100W 150W 200W 250W 400W 800W 1000W 500W haute puissance Les bornes 10ohm 50ohm image de résistance RF

100W 150W 200W 250W 400W 800W 1000W 500W haute puissance Les bornes 10ohm 50ohm dessin de résistance RF

Toutes les résistances de flange RF peuvent faire avec un terminal ou deux terminaux

Tracé d'une résistance à borne de 100 W

150W deux bornes de résistance RF

250 W 10 ohm 50 ohm deux bornes résistance RF dessin

400 W10 ohm 50 ohm deux bornes de résistance RF

500W 10ohm 50ohm une borne de résistance RF

600w 10ohm 50ohm une borne de résistance RF dessin

800W 10ohm 50ohm deux bornes résistance RF dessin

1000W 10ohm 50ohm Résistance RF à une borne

Spécification

100W 150W 200W 250W 400W 800W 1000W 500W bornes haute puissance 10ohm 50ohm résistance RF Paramètres

Caractéristiques électriques
Plage de résistance nominale	1 ~ 500Ω
Plage de résistance nominale	± 5%
Plage de fréquences	0 à 2 GHz
Ratio des ondes stationnaires	1.2 à 1.3
Résistance à l'isolation	≥ 1GΩ
Résister à la tension	500 V/1 mm (épaisseur du substrat)
Caractéristiques de l'environnement
Puissance nominale	1 à 1200 W (70°C)
Plage de température	-55°C à +165°C
TCR	± 300 × 10-6/°C
Choc de température (-55°C/+125°C, 3 fois)	ΔR ≤ ± 5%R
L'épreuve de l'humidité (GJB306A-96-méthode 106)	ΔR ≤ ± 5%R
Vibration (10 à 500 Hz, 0,75 mm, 6 heures)	ΔR≤±3%R, Aucun dommage mécanique
Essai à basse température (-55°C, 24 heures)	ΔR ≤ ± 5%R
Durée de charge (96)	ΔR ≤ ± 5%
La collision	ΔR ≤ ± 3%R
Caractéristiques physiques
Résistance terminale ((10N,5S)	Ne lâche pas et tombe pas
Soudurabilité à 240°C,3s	Surface de couche d'étain de 95%

Emballage et livraison

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